Power Management Integrated Circuit
高可靠性驱动技术:砺芯以宽禁带半导体碳化硅(SiC)适配技术为核心,聚焦解决高速开关场景下的驱动可靠性、电磁干扰(EMI)及系统保护等关键难题,致力于实现电源的高精度、高效率输出。公司自主研发的智能驱动高可靠性宽禁带半导体电源管理芯片,集成了自适应负压驱动、冲击式负电荷注入、准谐振协同动态抖频、智能软启动及全方位保护等核心功能模块,具备SiC器件高速开关的可靠驱动、EMI特性智能优化以及启动浪涌精准抑制等关键能力。依托四项自主研发的核心创新技术,该芯片在不牺牲开关速度和转换效率、不增加外围复杂度的前提下,可直接更高效安全驱动SiC MOSFET,实现内部各功能模块的协同联动与深度集成。公司产品在180W应用中实现91%的转换效率,在集成度、驱动力及可靠性上对比国外顶尖同类产品具有显著优势。